氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性

• 作者: 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化H2-O2合成 零时间击穿 时变击穿
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1207-1210
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.016

摘要

研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特性随测试MOS电容面积的增加而变差,而氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性随测试MOS电容面积的增加基本保持不变.对于时变击穿,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
4	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
5	刘运龙	中国科学院微电子中心	5	28	3.0	5.0