自组装InGaN/GaN量子点的研究进展

• 作者: Nasser N M 叶志镇 李嘉炜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 量子点 生长模式 发光特性 制造工艺
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2106字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.002

摘要

GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能.总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍,并对其在半导体器件的具体应用前景上提出了合理的设想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	李嘉炜	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	6	2.0	2.0
3	Nasser N M	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0