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摘要:
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考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法
多项目晶圆
布图规划
模拟退火算法
代价函数
缺陷率模型
布图尺寸约束
单晶硅晶圆晶向的精确标定方法
微机电系统
体硅工艺
晶向
晶圆表面缺陷在线检测研究
集成电路制造
晶圆表面缺陷检测
表面特征
主成分分析
贝叶斯概率模型
采用仿射迭代最近点的晶圆分割方法
晶圆分割
直线检测
形状配准
仿射迭代最近点
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 多项目晶圆(MPW)
来源期刊 半导体技术 学科
关键词
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 趋热与展望
研究方向 页码范围 8-10
页数 3页 分类号
字数 2793字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.02.004
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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