二元高-k材料研究进展及制备

• 作者: 刘志凯 周剑平 张志成 杨少延 林兰英 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高-k材料 蒸发法 CVD IBD
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 462-464，467
• 页数: 4页
• 分类号: O48|TB79
• 字数: 5778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2002.05.002

摘要

随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志成	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	53	1295	17.0	35.0
2	刘志凯	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	43	4.0	5.0
3	柴春林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	14	46	4.0	6.0
4	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	33	154	6.0	11.0
5	周剑平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	7	20	3.0	4.0
6	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	35	3.0	5.0