SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响

• 作者: 宫崎诚一 彭英才 稻毛信弥 竹内耕平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组织生长 Si纳米量子点 超薄SiO2层 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 267-271
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.007

摘要

采用低压化学气相沉积方法,依靠纯SiH4气体的热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳米量子点光致发光特性的影响.结果表明,当SiO2膜厚度减薄至6nm以下时,Si纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄SiO2层,并逃逸到单晶Si衬底中去,从而减少了光生载流子通过SiO2/Si纳米量子点界面区域内发光中心的辐射复合效率,致使光致发光强度明显减弱.测试温度的变化对Si纳米量子点光致发光特性的影响,则源自于光生载流子通过SiO2/Si纳米量子点界面区域附近非发光中心的非辐射复合所产生的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0