低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

• 作者: 侯云 王卓 王弘 王栋 王民 许效红
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 MOCVD TiO2薄膜 金红石
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 312-314
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2002.03.032

摘要

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜,研究了Si衬底取向、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响.结果表明,500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜,经过600℃以上退火处理后,均可转变为纯金红石相结构.其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构,而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构.结果还表明,退火气氛中的氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卓	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	63	5.0	7.0
2	王民	山东大学晶体材料国家重点实验室	27	290	7.0	16.0
3	许效红	山东大学晶体材料国家重点实验室	28	380	10.0	19.0
7	王弘	山东大学晶体材料国家重点实验室	23	157	7.0	12.0
8	王栋	山东大学晶体材料国家重点实验室	54	298	11.0	15.0
9	侯云	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	190	5.0	7.0