利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒

• 作者: 薛清 郁伟中 黄远明
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 拉曼散射 快速热退火 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 物理实验与应用
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: O4-33|TN304.2
• 字数: 2701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2002.08.005

摘要

报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法.含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析.实验结果表明:纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,若单位时间内温度变化量较大(～100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(1.6～15nm);若单位时间内温度变化量较低(～1℃/s),则纳米硅粒较大(23～46nm).根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郁伟中	清华大学物理系	15	53	4.0	6.0
2	薛清	南阳理工学院材料研究中心	7	37	3.0	6.0
3	黄远明	南阳理工学院材料研究中心	5	39	3.0	5.0