用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究

• 作者: 刘理天 王晓红 谢克文 陈兢
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 扩散 牺牲层
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 668-672
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.021

摘要

提出了一套采用扩散工艺在低掺杂的硅衬底上选择性形成多孔硅牺牲层,并制作了MEMS器件结构的工艺流程,进行了工艺流水.对得到的结果进行了详细的讨论.对于KOH溶液释放多孔硅牺牲层技术进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	陈兢	清华大学微电子学研究所	7	54	4.0	7.0
3	王晓红	清华大学微电子学研究所	21	159	8.0	11.0
4	谢克文	清华大学微电子学研究所	6	74	4.0	6.0