高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

• 作者: 张显斌 施卫 李恩玲 赵卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电导开关 lock-on效应 高功率超快电脉冲
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 867-872
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.031

摘要

报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果.其中8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达28kV,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明,开关输出电磁脉冲无晃动,电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达560A,电磁脉冲重复率108Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock-on状态下的实验结果,测试了GaAs开关工作于lock-on状态下的光能、电场阈值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学应用物理系	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
3	赵卫	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室	130	1414	20.0	30.0
4	李恩玲	西安理工大学应用物理系	35	246	9.0	13.0