利用LR 115 2B研究7.4GeV质子束轰击铅靶的散裂中子源外表面中子分布

• 作者: Brandt R Hashemi-Nezhad S R 丁大钊 万俊生 夏海鸿 张利兴 张颖
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 固体径迹探测器,LR 115 2B,散裂中子源
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 页码范围: 493-496
• 页数: 4页
• 分类号: TL815.7|TL411.1
• 字数: 1592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.07.003

摘要

利用LR 115 2B探测器研究了8cm×20cm的铅靶在7.4GeV质子的轰击下,散裂中子在实验装置外表面的分布,对实验结果进行了模拟解析,同时利用中子活化法验证了LR 115 2B探测结果及理论模拟结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖		24	165	8.0	12.0
2	张利兴		39	295	11.0	15.0
3	万俊生		34	160	8.0	11.0
4	夏海鸿		14	149	4.0	12.0