氧化镓纳米带的制备研究

• 作者: 俞大鹏 冯孙齐 向杰 贾圣果
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镓 纳米线 纳米带 准一维纳米结构
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 第13届全国半导体物理讨论会选文
• 页码范围: 449-453
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2002.04.019

摘要

纳米带是继纳米线、纳米管之后,最新报道的又一种准一维纳米结构.文中介绍了Ga2O 3纳米带制备的新方法.这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同.用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析,纳米带宽约500 nm,厚度约10 rnm,宽度/厚度比大于20.选区电子衍射(SAED)分析表明,产物是纯净的Ga2O3单晶.实验还发现了一些特殊形态的纳米结构,如纳米片等,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态.最后,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞大鹏	北京大学物理系介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	23	162	6.0	12.0
2	向杰	北京大学物理系介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	2	27	2.0	2.0
3	冯孙齐	北京大学物理系介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	7	62	4.0	7.0
4	贾圣果	北京大学物理系介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	1	25	1.0	1.0