对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究

• 作者: 廖克俊 朱亚波 王万录
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管阵列 最佳阵列密度 电场增强因子 长径比
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2335-2339
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3650字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.10.032

摘要

研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径.研究结果表明,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为102-103,并对任何长径比的碳纳米管阵列,都对应着一个最佳阵列密度,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时,其电场增强因子明显提高.这里的理论研究对弄清碳纳米管的场发射机理及实验合成高发射性能的碳纳米管阵列有一定的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学数理学院应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学数理学院应用物理系	66	513	12.0	19.0
3	朱亚波	重庆大学数理学院应用物理系	7	82	5.0	7.0