手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

• 作者: 吴振海 周剑明 徐中仓 李拂晓 杨乃彬 蒋幼泉 邵凯 钮利荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 单片 射频开关 成品率分析
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 403-407
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.014

摘要

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
2	李拂晓		60	352	10.0	14.0
3	徐中仓		2	4	1.0	2.0
4	邵凯		18	73	6.0	8.0
5	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
6	钮利荣		9	17	3.0	3.0
7	吴振海		4	5	2.0	2.0
8	周剑明		2	2	1.0	1.0