94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较

• 作者: 丁晓民 包春玉 张国义 杨志坚 秦志新 童玉珍 胡晓东 陈志忠 黎子兰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: MSM GaN 光电探测器 94K 室温
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 461-464
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.05.009

摘要

在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应.结果表明,在94K下响应有了很大的改善.当光波长从360nm增加到450nrm时,响应下降了3个数量级,而常温下只下降两个数量级,但探测器的时间响应常数变长了.