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硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾
硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾
作者:
司文捷
彭志坚
林仕伟
苗赫濯
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高温氧化
硅基材料
Si
SiC
Si3N4
摘要:
本文综述了硅基陶瓷材料高温氧化理论,在热动力学和整体控速过程两方面具体介绍了在高温条件下Si、SiC、Si3N4等非氧化物硅基陶瓷的氧化性质的研究进展.
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有机硅聚合物
前驱体
前驱体陶瓷
复合材料
结晶
氧化理论
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾
来源期刊
材料科学与工程
学科
工学
关键词
高温氧化
硅基材料
Si
SiC
Si3N4
年,卷(期)
2002,(2)
所属期刊栏目
热点评述
研究方向
页码范围
268-272
页数
5页
分类号
TO174.1
字数
2773字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.033
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
苗赫濯
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
69
997
20.0
27.0
2
司文捷
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
55
652
15.0
23.0
3
彭志坚
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
11
126
8.0
11.0
4
林仕伟
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
3
43
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研究主题发展历程
节点文献
高温氧化
硅基材料
Si
SiC
Si3N4
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程学报
主办单位:
浙江大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1673-2812
CN:
33-1307/T
开本:
大16开
出版地:
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
邮发代号:
创刊时间:
1983
语种:
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
总被引数(次)
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