BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究

• 作者: 徐超 李东 章天金 黄卫华
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: BST薄膜 Sol-Gel工艺 电性能
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 145-148
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2002.02.016

摘要

应用溶胶-凝胶(S01-Gel)工艺制备了组分为r(Ba:Sr)＝0.65:0.35的BST薄膜,研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性,实验结果表明:BST薄膜经650℃热处理后,已形成完整的立方钙钛矿结构,薄膜经900℃热处理后,其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔,圆球形的小颗粒均匀分布.当偏置电压为0时,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为542和0.035.漏电流特性分析结果表明:采用RuO2作为底电极,在1.5 V的偏压下BST薄膜的漏电流密度为0.52μA/cm2,该值比Pt/RuO2混合底电极上制备的BST薄膜的漏电流密度(72 nA/cm2)大1个数量级,因此,Pt/RuO2混合底电极既克服了RuO2底电极漏电流大的缺点,又解决了Pt底电极难以刻蚀的困难,是制备大规模动态随机存取存储器的电容器列阵的最佳底电极材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章天金	湖北大学物理学与电子技术学院	82	321	11.0	14.0
2	徐超	湖北大学物理学与电子技术学院	4	10	2.0	3.0
3	黄卫华	湖北大学物理学与电子技术学院	4	17	3.0	4.0
4	李东	湖北大学物理学与电子技术学院	2	10	2.0	2.0