自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

• 作者: 吴广明 周斌 唐伟星 孙骐 李忻 沈军 熊斌 王跃林 车录锋 黄耀东
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: Si平面薄膜 重掺杂 自截止腐蚀 杂质分布
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 364-366
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.020

摘要

以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为3～4 μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用.制备过程中,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响.本工作研究采用次级离子质谱(SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响.