高k栅介质MOSFET的栅电流模型

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 直接隧穿 栅电流 高k栅介质
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1009-1013
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.001

摘要

提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系.所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0