微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷

• 作者: 余学功 李立本 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 掺氮 空洞型缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1286-1290
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.12.010

摘要

研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中,空洞型原生缺陷(voids)的分布行为和其退火性质.从两种晶体不同位置取样,观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷(FPD)沿晶体轴向的分布,然后在1050～1250℃下Ar气中退火不同时间.实验结果表明在掺氮直拉硅中与较大尺寸voids相关的FPD缺陷的密度大量减少,其体内这种FPD缺陷的退火行为与不掺氮直拉硅一样,在高温下才能被有效的消除.这表明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸的voids的产生,而且掺氮硅中voids的内壁也有氧化膜存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0