表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 郜锦侠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC PMOS 界面态 阈值电压 源漏电阻
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 408-413
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.015

摘要

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型,并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特性.理论C-V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应.由于SiC PMOS器件的源漏电阻比较大,因此,在计算强反型情况下的漏电流时,同时考虑了源漏电阻的影响.结果表明,源漏电阻对漏电流的影响很大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所	24	144	7.0	11.0
4	郜锦侠	西安电子科技大学微电子研究所	8	42	3.0	6.0