Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

• 作者: 张翔九 施斌 胡冬枝 蒋伟荣 蒋最敏 赵登涛 顾骁骁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 Ge 固相外延
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 604-608
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.009

摘要

研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施斌	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	18	196	8.0	14.0
2	蒋伟荣	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	12	2.0	3.0
3	胡冬枝	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
4	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
5	张翔九	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	6	16	3.0	4.0
6	赵登涛	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
7	顾骁骁	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	7	1.0	1.0