双层锰氧化物薄膜中的应力效应

• 作者: H.U.Habermeier 张鹏翔 茶丽梅
• 来源期刊: 昆明理工大学学报(理工版)
• 学科: 工学
• 关键词: 双层锰氧化物 薄膜 应力
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与冶金工程
• 页码范围: 45-47,51
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-855X.2002.06.012

摘要

双层钙钛矿结构的La2-2XSr1+2XMn2O7(X=0.32)单相薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现,两种衬底上生长的La2-2XSr1+2XMn2O7(X=0.32)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下,薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降;相反,对于衬底张应力下的薄膜,TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茶丽梅	昆明理工大学光电子材料研究所	2	3	1.0	1.0