聚焦脉冲激光作用下 Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程及机理

• 作者: 干福熹 阮昊 魏劲松
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 薄膜 脉冲激光 晶化 过饱和度
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1245-1252
• 页数: 8页
• 分类号: O484|TQ594
• 字数: 4181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.027

摘要

采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	阮昊	中国科学院上海光学精密机械研究所	40	336	7.0	17.0
3	魏劲松	中国科学院上海光学精密机械研究所	12	61	3.0	7.0