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组分挥发对CBO晶体生长影响研究
组分挥发对CBO晶体生长影响研究
作者:
傅佩珍
吴以成
徐子颉
陈创天
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非线性光学晶体
CsB3O5
挥发
XRD
摘要:
非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.
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文献信息
篇名
组分挥发对CBO晶体生长影响研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
非线性光学晶体
CsB3O5
挥发
XRD
年,卷(期)
2002,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
45-48
页数
4页
分类号
O766
字数
2848字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
傅佩珍
中国科学院北京人工晶体研究发展中心
47
306
9.0
14.0
2
陈创天
中国科学院北京人工晶体研究发展中心
42
447
11.0
20.0
3
吴以成
中国科学院北京人工晶体研究发展中心
44
295
9.0
14.0
4
徐子颉
中国科学技术大学化学系
6
21
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1985(1)
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二级参考文献(0)
1989(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1993(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
非线性光学晶体
CsB3O5
挥发
XRD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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人工晶体学报2002年第5期
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人工晶体学报2002年第3期
人工晶体学报2002年第2期
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