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摘要:
非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.
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文献信息
篇名 组分挥发对CBO晶体生长影响研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 非线性光学晶体 CsB3O5 挥发 XRD
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 45-48
页数 4页 分类号 O766
字数 2848字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 傅佩珍 中国科学院北京人工晶体研究发展中心 47 306 9.0 14.0
2 陈创天 中国科学院北京人工晶体研究发展中心 42 447 11.0 20.0
3 吴以成 中国科学院北京人工晶体研究发展中心 44 295 9.0 14.0
4 徐子颉 中国科学技术大学化学系 6 21 3.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
非线性光学晶体
CsB3O5
挥发
XRD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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