优良全息光折变存储材料-双掺铌酸锂晶体

• 作者: 刘士国 刘宏德 孔勇发 孙骞 张万林 张光寅 张国权 张心正 张玲 李兵 李冠告 王岩 许京军 阎文博 陈云琳 陈绍林 黄晖 黄自恒
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铌酸锂 光折变 光存储
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 310-313
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 1870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.019

摘要

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60～80%)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.