玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

• 作者: 丁硕 孙萍 李娜 王引书 王若桢 罗旭辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶体, 生长机理, 深能级缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2892-2895
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.12.040

摘要

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500-800℃退火2-24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1-x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段, 600-625℃处于正常扩散生长阶段, 700-800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利于减少深能级缺陷的密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王引书	北京师范大学物理系	29	92	4.0	8.0
2	王若桢	北京师范大学物理系	12	30	3.0	4.0
3	孙萍	北京师范大学物理系	40	204	9.0	12.0
4	丁硕	北京师范大学物理系	1	3	1.0	1.0
5	罗旭辉	北京师范大学物理系	1	3	1.0	1.0
6	李娜	北京师范大学物理系	49	231	9.0	13.0