溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜

• 作者: 严学俭 华中一 周峥嵘 徐伟 沈杰 章壮健 陈佾 陶凤岗
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数 溶胶-凝胶法 掺氟SiO2薄膜
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 10-14
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.01.003

摘要

采用溶胶-凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜,F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数.研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测量了10～300 kHz范围内电容随频率变化的曲线,并计算了相应介电常数.二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明,F在薄膜中的分布是不均匀的.讨论了溶胶-凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响,并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈杰	复旦大学材料科学系	79	645	12.0	22.0
2	徐伟	复旦大学材料科学系	51	305	10.0	14.0
3	华中一	复旦大学材料科学系	51	348	11.0	15.0
4	章壮健	复旦大学材料科学系	41	667	16.0	24.0
5	陶凤岗	复旦大学化学系	19	135	6.0	11.0
6	严学俭	复旦大学材料科学系	22	151	7.0	11.0
7	周峥嵘	复旦大学化学系	7	43	4.0	6.0
8	陈佾	复旦大学材料科学系	3	82	3.0	3.0