集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

• 作者: 李煜 李瑞伟 王纪民
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 设备模型 工艺模拟 离子注入 沟道效应
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 319-322
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.018

摘要

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李瑞伟	清华大学微电子学研究所	10	79	4.0	8.0
2	王纪民	清华大学微电子学研究所	12	56	4.0	6.0
3	李煜	清华大学微电子学研究所	8	28	2.0	5.0