980nm半导体激光器远场特性的优化

• 作者: 刘莹 廉鹏 张丽 徐晨 杜金玉 沈光地 王东凤 邹德恕 韩金茹 高国
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 远场特性 自对准 自然解理边
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 259-261
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 1538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.04.012

摘要

制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ//形成多瓣.研究发现这与光刻工艺有着重要关系,并利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了此现象,改善了远场特性.