聚酰亚胺衬底掺Sb的SnO2透明导电膜的制备

• 作者: 杨光德 杨田林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺锑二氧化锡 光电特性 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.07.002

摘要

用射频磁控溅射法在聚酰亚胺衬底上制备出了相对透过率为80%左右、最小电阻率为3.7′10-3 W@cm、附着良好的SnO2∶Sb透明导电膜. 靶材中Sb2O3的最佳掺杂量为6%(质量分数),最佳溅射压强为1 Pa(90%Ar+10%O2).制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构,具有明显的[110]的趋向.并讨论了薄膜的结构和光电特性随衬底温度的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨田林	山东理工大学物理系	8	75	6.0	8.0
2	杨光德	山东理工大学物理系	4	29	3.0	4.0