W-型单模单偏振光纤中的硼掺杂和带宽

• 作者: 季敏宁
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: W-型单模单偏振光纤 硼掺杂量 带宽
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 光通信
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TQ342+.82
• 字数: 4136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.01.015

摘要

分析了W-型单模单偏振光纤中,椭圆内包层硼掺杂量与单模单偏振带宽的关系,得出了长W-型单模单偏振光纤的带宽与内包层硼掺杂量的大小无关,它只由光纤几何结构以及内包层折射率深度确定,而对于短W-型单模单偏振光纤,硼掺杂量的增加可以增大截止基模能量损耗,从而适度提高其消光比和有效带宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季敏宁	昆明理工大学理学院光纤技术研究中心	10	15	2.0	2.0