4H-SiC MESFET的特性研究

• 作者: 徐昌发 朱磊 杨银堂
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 特性
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 1996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.08.023

摘要

对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大.300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm.这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	朱磊	西安电子科技大学微电子所	22	283	10.0	16.0
3	徐昌发	西安电子科技大学微电子所	3	21	2.0	3.0