激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究进展

• 作者: 凌一鸣 吴旭峰
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 激光烧蚀 半导体 纳米丝
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 67-69
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2002.02.001

摘要

简要介绍了当前国内外激光烧蚀法制备半导体纳米丝的研究现状.介绍了目前激光烧蚀法制备的实验装置及所采用的激光束参数.比较了不同实验结果中在纳米丝结构和生长方向等方面的差异,并分析了半导体纳米丝生长的VLS金属催化机理和氧化物辅助生长模型,我们认为Si-金属混合物作靶时金属催化作用对纳米丝的生长起主要作用,而在Si-氧化物混合物作靶时,氧化物辅助作用将占主导地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	凌一鸣	东南大学电子工程系	18	233	8.0	15.0
2	吴旭峰	东南大学电子工程系	13	138	7.0	11.0