激光定域晶化技术制备纳米硅的研究

• 作者: 朱乐仪 李伟 王晓伟 王立 陈坤基 马忠元 黄信凡
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光晶化 纳米硅 微结构
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN304.1
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.07.004

摘要

利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4 nm)/a-SiNx:H(10 nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列.原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si:H/a-SiNx:H多层膜周期(14 nm)相等的nc-Si阵列.