不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响

• 作者: 于广华 姜宏伟 朱逢吾 李明华 赖武彦
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 交换耦合场 织构 界面粗糙度 界面偏聚
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.01.016

摘要

采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜,分别以Ta,Cu作为缓冲层,Ta作为保护层.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大,而矫顽力却很小.本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析.除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外,不同缓冲层引起的界面偏聚对交换耦合场也有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	李明华	北京科技大学材料物理系	21	50	4.0	5.0
3	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
4	姜宏伟	中国科学院物理研究所	6	13	2.0	3.0
5	赖武彦	中国科学院物理研究所	23	143	7.0	11.0