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摘要:
通过VLSI与超纯硅材料关系的论述,阐明了我国VLSI的发展急需解决高质量的超纯硅材料。提高大直径硅片的平整度;氧、碳含量稳定、均匀、可控;提高微区电阻率的均匀性;硅表面洁净、具有密封、屏蔽的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题。超纯硅材料的完美结晶特性和超精度加工技术水平取决于基础材料(化学试剂、高纯气体)的高纯度、小颗粒和低杂质含量的控制。
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关键词云
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文献信息
篇名 VLSI与超纯硅材料
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 超大规模集成电路 材料 半导体 制造业 VLSI 超纯硅材料
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 47-50
页数 4页 分类号 TN304.12
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1 曹宏斌 9 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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超大规模集成电路
材料
半导体
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VLSI
超纯硅材料
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
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11366
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