基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响.当初始化仪转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数逐渐增大,透过率逐渐减小;当激光功率固定时,随转速的增大,折射率也随之增大,消光系数随之减小,透过率逐渐增加.非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化(包括原子间键合状态的变化)以及薄膜内残余应力是影响Ge2Sb2Te5相变薄膜复数折射率的主要原因.测量了CD-RW(可擦重写光盘)中Ge2Sb2Te5薄膜非晶态和晶态的反射率.
推荐文章
激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为研究
Ge2Sb2Te5
激光致相变
X射线衍射
面心立方
氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能
相变存储器
多态存储
N掺杂
Ge2Sb2Te5
溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响
光学常数
Ge2Sb2Te5薄膜
溅射参数
钛掺杂对Ge2Sb2Te5薄膜相变特性的改善
钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜
相变特性
热稳定性
数据保持能力
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 激光致晶态Ge2Sb2Te5相变介质的光学常数
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 Ge2Sb2Te5 相变 光学常数
年,卷(期) 2002,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 479-483
页数 5页 分类号 TB383|TB34
字数 2721字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 干福熹 中国科学院上海光学精密机械研究所 288 2527 23.0 29.0
2 刘波 中国科学院上海光学精密机械研究所 266 2712 24.0 39.0
3 阮昊 中国科学院上海光学精密机械研究所 40 336 7.0 17.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (2)
共引文献  (2)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (4)
同被引文献  (1)
二级引证文献  (0)
1971(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1985(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(3)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(0)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2012(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Ge2Sb2Te5
相变
光学常数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导