一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器

• 作者: 刘志宏 曾莹 朱钧 潘立阳 鲁勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快闪存贮器 带-带隧穿 沟道热电子 Fowler-Nordheim
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 690-694
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.004

摘要

提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行"写"编程,采用源极Fowler-Nordheim隧穿机制进行擦除.研究显示控制栅编程电压为8V,漏极漏电流只有3μA/μm左右,注入系数为4×10-4,编程速度可达16μs,0.8μm存贮管的读电流可达60μA/μm.该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子学研究所	43	464	12.0	20.0
2	鲁勇	清华大学微电子学研究所	10	33	4.0	5.0
3	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0
4	刘志宏	清华大学微电子学研究所	26	134	6.0	10.0
5	曾莹	清华大学微电子学研究所	6	25	4.0	5.0