新型集成电路隔离技术——STI隔离

• 作者: 王建华 闻黎
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 本征氧化隔离 浅沟隔离
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.95
• 字数: 3305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.09.010

摘要

集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用.传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代.论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建华	合肥工业大学理学院	12	110	6.0	10.0
2	闻黎		1	7	1.0	1.0