低温生长硅基碳化硅薄膜研究

• 作者: 叶志镇 季振国 王亚东 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC薄膜 低温 硅基片
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 1823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.01.014

摘要

在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化.研究表明薄膜为富硅的3C-SiC结晶层,其中的Si/C比约为1.2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心	48	467	12.0	19.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心	74	719	14.0	24.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心	51	610	12.0	23.0
5	王亚东	浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心	12	69	4.0	8.0