4H-SiCN离子注入层的特性

• 作者: 张义门 张玉明 杨林安 王守国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 离子注入 退火 方块电阻
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1249-1253
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.12.004

摘要

研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注入层的特性,制备了横向肖特基二极管和TLM (transfer length method)结构.测得的N激活浓度为3.0×1016cm-3,计算出激活率为0.02.注入层方块电阻为30kΩ/□,电阻率为0.72Ω*cm,并计算出电子迁移率为300cm2/(V*s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子所	17	95	6.0	9.0
3	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
4	王守国	西安电子科技大学微电子所	4	30	3.0	4.0