银微盘电极上谷胱甘肽降解产物的伏安行为

• 作者: 方宾 李茂国 许发功
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 化学
• 关键词: 银微盘电极 谷胱甘肽 降解产物 阴极溶出伏安法 L-半胱氨酸
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: O629.72
• 字数: 2050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.2002.01.016

摘要

谷胱甘肽是一个含硫三肽,基于谷胱甘肽降解产物中的L-半胱氨酸(RS-)能与Ag+形成难溶化合物的性质,在银微盘电极上研究了其水解产物的伏安行为;运用示差脉冲溶出伏安法(DPSV),在0.1mol/LHAc-NaAc介质中,谷胱甘肽降解产物的还原峰电流与谷胱甘肽浓度于9.0×10-7～4.0×10-5mol/L范围内有较好的线性关系,测定限为5.0×10-8mol/L,用于模拟样品测定,结果令人满意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许发功	安徽师范大学化学与材料科学学院	5	95	4.0	5.0
2	方宾	安徽师范大学化学与材料科学学院	52	507	14.0	19.0
3	李茂国	安徽师范大学化学与材料科学学院	20	298	11.0	17.0