GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

• 作者: 刘翠秀 姜晓明 王勇 王文充 贾全杰 贾海强 郑文莉 陈向明 麦振洪
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/AlAs/GaAs 氧化 微结构
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 775-778
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.5
• 字数: 1458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.10.003

摘要

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2O3/GaAs薄膜,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征.结果表明,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110的均匀过渡层.AlAs层分成厚度为40和1050的两层,而40厚的AlAs层的平均原子密度比1050厚的减小.利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2O3,而且与氧化前相比,其过渡层的厚度与粗糙度均减小.