深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流

• 作者: 侯永田 李名复 金鹰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 直接隧穿电流 量子效应 栅介质层
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 449-454
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.001

摘要

在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方法,这种方法考虑了价带的混合效应.通过与试验结果的对比,证明了这个模型可以适用于CMOS器件中电子和空穴的隧穿电流.还研究了介质层能隙中的色散对隧穿电流的影响.这个模型还可以进一步延伸到对未来高介电常数栅介质层中隧穿电流的研究.