应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

• 作者: 姜国宝 林殷茵 汤庭鳌 颜雷 黄维宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MF(I)S铁电存储器 不挥发铁电存储器 不挥发非破坏性读出 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 301-304
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN384
• 字数: 1484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.014

摘要

将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性,结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好,在±5V测试电压、1MHz测试频率下,存储窗口电压为2.6V左右,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8.对于宽长比为500μm/50μm器件,采用栅极与源极、漏极写入方式,±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性;小尺寸的40μm/8μm器件在±5V写入电压下特性较好.