薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化膜 经时击穿 陷阱密度 累积失效率
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 952-956
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 2878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.011

摘要

采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0