940 nm无铝双量子阱列阵半导体激光器

• 作者: 万春明 曲轶 王慧
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 半导体激光器 列阵
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 1061-1063
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.12.002

摘要

分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素.利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器.无铝列阵激光器的峰值波长为940.2 nm,半峰宽为2 nm,连续输出功率为10 W,斜率效率为1.09 W/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万春明		11	106	6.0	10.0
2	曲轶		39	163	7.0	11.0
3	王慧		1	5	1.0	1.0