电沉积法制备镉靶

• 作者: 李超 解向前 陈玉清
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电沉积 电沉积槽 Cd靶
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 406-408
• 页数: 3页
• 分类号: TL503.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.032

摘要

对加速器生产111In所用镉靶制备工艺进行了研究.通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素,确定了最佳工艺条件.所研制的镉靶厚度大于57 mg/cm2,表面光亮、致密、牢固.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解向前	中国原子能科学研究院同位素研究所	3	4	1.0	2.0
2	李超	中国原子能科学研究院同位素研究所	3	2	1.0	1.0
3	陈玉清	中国原子能科学研究院同位素研究所	5	6	1.0	1.0