自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性

• 作者: 张二林 张虎 曾松岩 李庆芬 金云学
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛合金 复合材料 TiC 晶体生长
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 页码范围: 1223-1227
• 页数: 5页
• 分类号: TB331
• 字数: 2523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.11.018

摘要

利用配位多面体生长基元理论研究了自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性.TiC晶体的配位多面体生长基元为TiC6.生长基元进入{100}面时为4个棱边同时联结,生长速率最快,不易显露;进入{111}面时为共面联结,生长速率最慢,容易显露因此,TiC晶体的理想形态为以{111}面为显露面的八面体.TiC晶胚在熔体中生长时,受传热传质过程的影响,6个顶角所处的{100}方向生长速率加快,形态失稳,从{100}方向顶角部位生长出二次枝晶臂,最终形成棱面枝晶状TiC.如枝晶形成时低生长速度的晶面上形成大量的晶体缺陷,则它们的生长速度加快,棱面消失,成为光滑枝晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾松岩	哈尔滨工业大学金属精密热加工国防科技重点实验室	99	1118	20.0	26.0
2	李庆芬	哈尔滨工程大学机电学院	106	1010	17.0	24.0
3	张虎	北京航空航天大学材料科学与工程学院	82	653	15.0	21.0
4	张二林	哈尔滨工业大学金属精密热加工国防科技重点实验室	35	393	12.0	18.0
5	金云学	哈尔滨工程大学机电学院	20	257	11.0	15.0