磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

• 作者: 于广华 朱逢吾 柴春林 马纪东
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO2/Ta界面 界面反应 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2002,（13）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 978-980
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.13.004

摘要

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层. 利用磁控溅射方法在表面有300 nm 厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜. 采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析, 并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析. 结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3, 该反应使得界面有"互混层"存在, 从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
3	柴春林	中国科学院半导体研究所	14	46	4.0	6.0
4	马纪东	北京科技大学材料物理系	9	52	4.0	7.0